內地氮化鎵半導體廠商英諾賽科(02577.HK)今日起招股，擬全球發售4536.4萬股，其中香港公開發售佔10%，設15%超額配股權。招股下周一截止，料12月30日上市。招股價範圍在30.86元至33.66元，每手100股，入場費3399.95元，料最多集資15.27億元。
氮化鎵作為第三代半導體代表性材料，憑藉高頻、耐高壓、抗輻射、高電子遷移率等優勢，在電動汽車及數據中心、光伏發電站及電網等下游市場展現廣闊的應用潛力。根據弗若斯特沙利文的資料，2023年，氮化鎵功率半導體產業開啟了指數級增長的元年，預計市場將迅速增長。到2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規模將達到人民幣501億元，在全球功率半導體市場的市佔率提升至10.1%，並佔全球功率半導體分立器件市場的24.9%，為行業參與者帶來前所未有的機遇。
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